隨著閃存顆粒技術(shù)的不斷進(jìn)步，市場(chǎng)順利從SLC、MLC成功跳躍至TLC，幾年來的事實(shí)證明，TLC的穩(wěn)定性和性能表現(xiàn)令人滿意，足以應(yīng)付主流消費(fèi)者需求，為接下來的QLC普及開了好頭。在2018全球閃存技術(shù)峰會(huì)上，intel（英特爾）推出旗下第一款QLC存消費(fèi)級(jí)SSD——SSD 660P，是600P的升級(jí)版，定位介于600p及700p之間，能滿足主流玩家市場(chǎng)需求。全新SSD 660P有512GB、1TB、2TB三種容量，均提供5年質(zhì)保。intel 660P采用M.2 2280規(guī)格，主控未知，基于高密度3D QLC NAND 顆粒，提供512GB/1TB/2TB三種容量，走PCI-E 3.0 x4通道，支持NVMe 1.3協(xié)議，最高連續(xù)讀取可達(dá)1800MB/s，寫入1100MB/s，4K隨機(jī)讀寫為150K IOPS。此次所搭載的是64層3D QLC顆粒，相比TLC容量增加了33%，單顆粒最高可達(dá)到256GB或512GB。關(guān)于QLC最關(guān)心的壽命問題，官方表示該64層3D QLC顆粒P/E循環(huán)約為1000次左右，比TLC略少一些，面向主流一般市場(chǎng)，這類產(chǎn)品主要是依靠大容量和高性價(jià)比來搶占主流市場(chǎng)，可以預(yù)見接下來市場(chǎng)中高容量QLC SSD將進(jìn)一步滲透。