朗科越影DDR4-3200內(nèi)存評測：原廠顆粒，很能超頻    

繼超光系列裸條之后，朗科又推出馬甲條越影系列，目前擁有2666、3200、3600MHz等頻率，提供8GB單條，16GB套裝容量。我們拿到了朗科越影DDR4-3200MHz 8GB內(nèi)存單條，采用原廠顆粒，具備不俗的超頻潛力，接下來帶你們了解詳情朗科這款新品。

外觀及細節(jié)設(shè)計：

這是單條裝，外包裝小巧，左邊是“Netac朗科越影DDR4電競內(nèi)存”的字樣，右側(cè)有一個可視小窗口，可看到內(nèi)存散熱片上的“越影 DDR4”字樣。包裝的右下提示有“終身保固”，朗科旗下的內(nèi)存均提供終身質(zhì)保。

朗科越影DDR4-3200MHz 8GB內(nèi)存采用鋁合金材質(zhì)的散熱片，主體為黑色及灰色搭配，鋁合金的表面進行拉絲工藝處理，頂部采用鋸齒狀鰭片設(shè)計，增添幾分靈動，不至于太死板，又能增大散熱面積。比起金士頓Fury，海盜船復(fù)仇者，我覺得朗科越影內(nèi)存的外觀更討人喜歡，屬于百搭風(fēng)格。

▲朗科越影DDR4-3200MHz 8GB內(nèi)存的背面

裝備金屬散熱片，除了比裸條顏值高外，通過導(dǎo)熱硅膠，散熱片緊緊與內(nèi)存顆粒貼合在一起，熱量傳導(dǎo)更高效，保證內(nèi)存高頻工作時，也能處于理想的溫度狀態(tài)下。

朗科越影DDR4-3200MHz 8GB內(nèi)存散熱片的高度大約為30mm，比市面上很多的馬甲條都矮，對CPU風(fēng)冷散熱器的兼容性更好。不用擔心因內(nèi)存高度問題，裝不下CPU散熱器。

內(nèi)存的金手指經(jīng)過鍍金工藝處理，強化導(dǎo)電性能與耐腐蝕性，可長期穩(wěn)定使用，避免你遇到“橡皮擦內(nèi)存”的窘境。

內(nèi)存出廠前，不管多高的設(shè)定頻率，都會跑在JEDEC規(guī)定的2133、2400或2666MHz頻率下，這時高頻內(nèi)存就需要XMP技術(shù)支持。朗科越影DDR4-3200MHz 8GB內(nèi)存支持Intel 最新的XMP 2.0或AMD平臺的A-XMP技術(shù)，只需在主板BIOS中一鍵開啟，內(nèi)存就能運行在3200MHz頻率下，對小白的用戶很友好。

在出廠前，朗科越影DDR4-3200MHz 8GB內(nèi)存經(jīng)過嚴苛檢測流程，通過各大主板廠商的兼容性認證，不管是Intel平臺，還是AMD平臺，均能保持出色的兼容性，包括最新Intel 11代酷睿平臺及AMD 5000系列銳龍平臺。

內(nèi)存的標簽，工作頻率是3200MHz，時序為CL16（16-20-20-40-2T），工作電壓1.35V，容量為單條8GB。

內(nèi)存顆粒信息：

我用到一款叫Thaiphoon Burner的臺風(fēng)軟件，可識別到內(nèi)存顆粒信息，如下：

朗科越影DDR4-3200MHz 8G內(nèi)存使用的【海力士（Hynix）H5AN8G8NDJR-VKC】顆粒。即海力士的DJR顆粒，最新15nm制程的D-die顆粒，誠意滿滿。

海力士第一批DDR4顆粒為MFR，稱為M-Die，25nm制程，穩(wěn)定耐用性好，超頻能力一般；2015年后海力士推出AFR顆粒，也稱為A-Die，21nm制程，比MFR超頻能力好，突破3200、3600MHz頻率并不難，但在高頻下時序不太好看；近兩年來，為了追趕競爭對手，海力士拿出CJR顆粒，即C-Die顆粒，這是第三代8Gb顆粒，1xnm(18nm)制程，體質(zhì)比較好，輕松上3600MHz高頻。而最新的DJR顆粒，基于15nm工藝制程，超頻潛力比CJR還要好，體質(zhì)更上一層樓。

據(jù)我了解，一些品牌主流定位的產(chǎn)品選用的DRAM顆粒品質(zhì)參差不齊，甚至?xí)捎昧计返偷慕导夘w粒，比如Spectek的大S顆粒，大家買內(nèi)存時要多留意。

測試平臺及超頻測試：

處理器：Intel Core i7-11700F

主板：技嘉B560M AORUS PRO AX雪雕

內(nèi)存：朗科越影DDR4-3200MHz 8G

顯卡：七彩虹iGame GeForce RTX 3060 Ultra W OC

硬盤：金士頓KC2000 500G M.2

電源：鑫谷昆侖KL-750G 750W

散熱器：鑫谷冰封360一體式水冷

內(nèi)存的超頻比顯卡/CPU來得實在，可操作性也高。我手上有一顆11代酷睿i7-11700F處理器，主板是B560，這一代B560主板開放內(nèi)存超頻限制，看看朗科越影DDR4-3200MHz 8G在這套平臺上表現(xiàn)如何吧？

從CPU-Z的SPD看到，JEDEC預(yù)設(shè)有三組，朗科越影DDR4-3200MHz 8G選用中間那組參數(shù)，2666MHz，19-19-19-43時序，1.2V電壓。內(nèi)置一組XMP-3200，時序16-20-20-40，工作電壓1.35V。

接著對這款內(nèi)存進行了超頻嘗試：

首先是從3200MHz到3600MHz，在Gear1模式，不分頻，主時序保持在CL16，tRCD，tRP，tRAS三個時序稍收緊，順利進入系統(tǒng)，并通過測試。

11代酷睿處理器有內(nèi)存分頻機制，超過3600MHz頻率后，就從Gear1切換Gear2的1：2分頻模式。在這種模式下，內(nèi)存容易挑戰(zhàn)更高的頻率，但是內(nèi)存的延遲會提高。

經(jīng)過我們的嘗試，朗科越影DDR4-3200MHz 8G內(nèi)存時序鎖定在18-25-25-45-2T，電壓的話，從1.35V提高至1.45V，同時優(yōu)化了tRFC，tREFI等時序，另外提升CPU內(nèi)存控制器相關(guān)電壓，最終在4000MHz高頻成功進入系統(tǒng)。

在4000MHz頻率下，通過半個小時的AIDA64軟件內(nèi)存穩(wěn)定性測試，期間沒有出現(xiàn)報錯，證明超頻后的穩(wěn)定性是可以的。

接著我們挑戰(zhàn)了一下4266MHz，能進入系統(tǒng)，但是不能通過這個平臺的穩(wěn)定性測試，拉高時序也不行，這部分性能測試就不給大家展示。

超頻過程小結(jié)：朗科越影DDR4-3200MHz 8G內(nèi)存的超頻潛力超出我們的預(yù)期，之前體驗過金士頓Fury，海盜船復(fù)仇者，基本上出廠即灰燼，可超的空間有限。而且我這次使用的是B560主板，雖說開放超頻，但內(nèi)存超頻并不是這個級別主板強項。如果在那種特別能超內(nèi)存的主板，像微星MEG、ROG Z590-I等，再配合帶K能超頻的CPU，我相信還可以突破更高的頻率。

性能測試：

性能測試部分，測試了默認的DDR4-2666MHz，開啟XMP至3200MHz，超頻至3600MHz以及4000MHz，看看各個頻率的成績?nèi)绾危?

AIDA64性能測試：

首先是AIDA64的內(nèi)存帶寬測試，從2666MHz到3200MHz，性能提升明顯，讀/寫/復(fù)制分別提升16%、15.8%、26%。超頻之后，內(nèi)存帶寬總體上是隨著頻率提升而提升的，3200到3600MHz，提升幅度是可以的，到了4000MHz后，反而沒有想象中給力。

內(nèi)存延遲部分，超到4000MHz高頻，內(nèi)存控制器的分頻機制存在，反而要比3600MHz延遲還要高。11代酷睿的分頻機制，一半是海水，一半是火焰，需要繼續(xù)挑戰(zhàn)更高的內(nèi)存頻率，才能拉低延遲。

SiSoftware Sandra 內(nèi)存帶寬測試：

超頻之后，內(nèi)存帶寬可以獲得穩(wěn)步的提升，基本跟AIDA64中測試結(jié)果相符。

3D Mark Time Spy物理測試：

內(nèi)存頻率高低會影響到CPU的性能發(fā)揮，在3DMark Time Spy測試中，2666MHz到3200MHz提升800多分，約為10%幅度。單通道后，CPU對內(nèi)存頻率高低更敏感。超頻至3600、4000MHz，物理項得分也有提高。

游戲測試：

游戲測試，選擇《英雄聯(lián)盟》，這種吃CPU單核高幀游戲，對內(nèi)存帶寬、延遲比較敏感。我們選擇了8分鐘的游戲錄像統(tǒng)計平均幀數(shù)。

在DDR4-4000MHz頻率下，幀數(shù)是最好的，但與DDR4-3600MHz的表現(xiàn)差距并不大，接著是3200MHz和2666MHz。像這類游戲?qū)?nèi)存帶寬要求高，能夠超頻的話，帶來幀數(shù)提升比升級CPU或者顯卡來得更實在，遺憾的是4000MHz有高延遲，表現(xiàn)沒有想象中好。

總結(jié)

朗科越影DDR4-3200MHz 8G內(nèi)存采用原廠顆粒，配備散熱馬甲，兼容性出色，超頻潛力不俗，關(guān)鍵是價格也實惠，比起同級競爭對手，像金士頓FURY，海盜船復(fù)仇者等，除了品牌溢價能力差一點，其他方面是有掰手腕的實力。

不過8GB內(nèi)存容量著實不夠用，要買的話，建議入手兩條8GB，組雙通道16GB容量，且內(nèi)存運行雙通道模式性能大幅度提升。近期內(nèi)存在漲價，如果你要升級內(nèi)存或新裝機的朋友，可以關(guān)注這款性價比不錯的內(nèi)存。