特挑三星B-die顆粒有啥不同？惠普V10 RGB內(nèi)存條上手真香    

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主機裝了近3個月，除了內(nèi)存沒光以外，基本的燈光配置已搞定，全套均以Aura Sync神光同步為主。其實我早就尋思著要將內(nèi)存條的燈給加上，也有考慮內(nèi)存加個發(fā)光馬甲，但得知又有燈線后就放棄了這個計劃。畢竟機箱內(nèi)的線越少就越美觀，本身走線就是技術活，后期再多出幾根就更難處理了。

在選擇內(nèi)存上，大家都在安利我挑三星B-die顆粒。話說這個顆粒真的這么優(yōu)秀？感覺大多數(shù)旗艦級內(nèi)存都在使用這個顆粒。

如果只是說RGB燈效，那么選個顏色看著順心的就行，挑顆粒這種事真的是玄學嗎？機緣巧合下接觸到惠普V10 RGB燈條，恰巧也是特挑三星B-die顆粒，在我上機測試后發(fā)現(xiàn)果然“真香”，鄭女士說的都是對的。

常規(guī)細節(jié)

作為套條來說，惠普V10 RGB內(nèi)存條的外包裝還是比較大的，比裝移動硬盤的盒子都要大。畢竟獲得了2021年德國紅點獎和IF設計獎，從渲染的產(chǎn)品圖就能看出顏值不錯。

盒體的背面明確標注了惠普V10 RGB支持的4種神光同步類型：華碩Aura Sync、微星MSI Mystic Light Sync、華擎Polychrome Sync和某嘉。

在運輸防護這一塊，廠家確實下了一番功夫。盒內(nèi)的內(nèi)存條除了用塑料盒體加固以外，底部還填放了厚實的海綿，從而最大限度地保證運輸途中的安全。

惠普V10 RGB內(nèi)存條為對條配置，外觀為黑白配色，整體材質(zhì)以鋁合金為主。多數(shù)馬甲條都是采用鋁合金材質(zhì)包裹，畢竟其散熱和導熱性都相當高效。另外，馬甲正中的圓形HP LOGO十分搶眼，只可惜并不發(fā)光。

從側(cè)面看時，鋁制散熱馬甲+導熱貼+內(nèi)存顆粒這三者間的貼合相當緊密，而且馬甲的厚度也不錯，達到了1.2mm左右。

惠普V10 RGB內(nèi)存條在頂部集成了RGB燈效 ，擁有8個獨立燈光區(qū)域，支持1600萬色，配合應用程序設置后電競氛圍感拉滿。

作為一對套條，其標簽上的SN號是連號的，PN也是同號，理論上兼容性不會有任何問題。除些之外還標注了時序為14-14-14-34，體質(zhì)相當不錯。

上機測試

惠普V10 RGB內(nèi)存條采用特挑三星B-die顆粒，與友商旗艦高端品牌屬于一個檔次。而高品質(zhì)的內(nèi)存顆粒才有更可靠的穩(wěn)定性，特別是在運行游戲與圖形設計軟件時，內(nèi)存占用率會變得相當高，此時穩(wěn)定性就變得十分重要。

內(nèi)存上機后一把點亮，然后直接在BIOS內(nèi)調(diào)到3200MHz。進入系統(tǒng)后調(diào)用CPU-Z確認惠普V10 RGB內(nèi)存條的運行規(guī)格確實已是3200MHz頻率，DRAM制造商為三星，全系支持XMP2.0一鍵超頻，時序14-14-14-34，與標簽上的信息完全吻合。

調(diào)用Thaiphoon Burner后可看到惠普V10 RGB內(nèi)存條的默認時序為15-15-15-36，在頻率達到3200MHz后，時序是14-14-14-34，顆粒來自三星K4A8G085WB-BCPB，通常特挑三星B-die顆粒都是此型號。

恰巧手頭有一對“大熱”的英睿達鉑勝內(nèi)存，正好可以拿來對比。

在Thaiphoon Burner中可看到英睿達鉑勝內(nèi)存在頻率達到3200MHz后，時序為16-18-18-36，是傳說中的C9BJZ顆粒。

通過AIDA64測試可以看到，英睿達鉑勝內(nèi)存在3200MHz下的讀寫速度為45G/25G/41G/ ，延遲值67.3ns，成績并不算太突出。而同頻率的惠普V10 RGB內(nèi)存卻是46G/25G/42G/，延遲值64.8ns的成績，時序與顆粒的差距真的很重要，甚至會影響到后續(xù)的超頻性能。

考慮到惠普V10 RGB內(nèi)存是全系支持XMP2.0一鍵超頻，所以我們就直接以自動的方式進行超頻，跳過3266和3333直加到3400MHz頻率，重啟后一次點亮。

再次通過AIDA64測試可以看到，惠普V10 RGB內(nèi)存的讀寫速度為提升相當大，輕松達到了49G/27G/43G/，延遲值62ns，此時時序保持在14-14-14-34不變。

運行PCMark10做個壓力測試，在常規(guī)跑完后3400MHz頻率的成績要較3200MHz的多幾十分，有些許提高。

在AIDA64的壓力測試下，跑分半小時一切正常，穩(wěn)定性毫無問題。后續(xù)也試了一下游戲跑分，在頻率提升不多時游戲幀率變化并不明顯，但也沒有出現(xiàn)游戲出錯跳出。

當試圖一鍵到3600MHz時，開機自檢報警不亮機，看來得手動調(diào)節(jié)電壓與時序了。以惠普V10 RGB內(nèi)存的性能來說，手動達到4000MHz應該很輕松，甚至4200MHz都不難。

超頻測試

超頻其實不難，但卻有風險。調(diào)節(jié)過程中我們除了要修改時序以外，還需要注意內(nèi)存DIMM電壓、VCCIO和VCCSA。

不過像是三星B-die顆粒，都可通過抄作業(yè)的方式來獲取大概的最優(yōu)時序值。如果是想體驗一下超頻的“樂趣”，那么你也可以時序先從20開始，然后再逐步收緊，慢慢測試以達到最優(yōu)時序。

當需要超越的頻率較高時，再調(diào)節(jié)DRAM Voltage的電壓（也就是DIMM內(nèi)存電壓）。如頻率到4000MHz以上時，建議電壓至少需1.4V。假如超頻失敗也不要驚慌，現(xiàn)在的主板一般都有自恢復機制，三次自動重啟會重置BIOS。

考慮到惠普V10內(nèi)存用的是三星B-die顆粒，我們就跳過3600MHz直接從4000MHz開始調(diào)節(jié)。首先進入到Ai Tweaker內(nèi)，將時序調(diào)節(jié)一下，既然是三星B-die顆粒我們直接從18或17開始都行，電壓都不必動。

重啟后一次點亮，查看讀寫速度為49G/28G/48G/，延遲值69.5ns，相較3400MHz時Copy成績提升了5G，效果還是相當明顯的，此時時序為18-17-17-36。

嘗試直接將頻率拉到4200MHz，DRAM Voltage加壓到1.4V，結果也是一次點亮。此時Copy竟已達到49G，延遲值也略有進步，達到了67.7ns。接下來再次嘗試拉到4300MHz，發(fā)現(xiàn)并不能點亮，試將DRAM Voltage加壓到1.5V，將時序調(diào)到20后，開機成功，但在跑RunMemtest Pro時出現(xiàn)錯誤提示，表示超頻并不穩(wěn)定，需要適當?shù)姆艑挄r序值。

于是我們就退一步，先穩(wěn)定到4266MHz再說。DRAM Voltage降回到1.4V，然后繼續(xù)以之前18的時序值重啟主機。

對于惠普V10 RGB來說4266MHz是毫無壓力的一把通過。而且在AIDA64測試中Copy突破了50G大關，延遲值也來到66.8ns，最主要的是時序并無變化，依舊能在18-17-17-36時只通過加一點電壓就拉到了4266MHz。

使用RunMemtest Pro燒機，完美通過所有測試，沒有報任何錯誤。其實在跑至三分一時，沒有跳錯就基本不會有問題了，一般不穩(wěn)定都會在15%以前。

在AIDA64內(nèi)勾選Stress system memory后滿載運行30分鐘，期間也并無任何錯誤跳出，一切都十分穩(wěn)定，惠普V10已在4266MHz站穩(wěn)了腳跟。

最后試了一下游戲與PR剪輯軟件，導出視頻和渲染過程并無問題，速度上有提升幾秒左右。在玩LOL 時也有22幀的增長，超頻效果立竿見影。

神光同步

當惠普V10 RGB內(nèi)存上機后，頂部集成的RGB燈帶會自動亮起。因惠普V10 RGB內(nèi)存并不是異形結構外觀，燈帶也就以長條式設計呈現(xiàn)。

在多種品牌燈效軟件的加持下，也讓其多了許多玩法。例如我在打開Armoury Crate奧創(chuàng)軟件后，Aura Sync項下會自動跳出將惠普V10 RGB內(nèi)存加入到同步設備中。然后即可在各種Aura特效下進行樣式選擇、顏色設定、速度頻率......；

直接快速切換燈效也是同步轉(zhuǎn)換，惠普V10 RGB內(nèi)存并不會滯后。

隨意選擇一個彩虹特效后，機箱內(nèi)的所有設備形成了互聯(lián)統(tǒng)一的顏色，光影效果完全拉滿，達到一個極具個性的游戲氛圍空間。

寫在結尾

惠普V10內(nèi)存作為一款面向用戶零售的RGB內(nèi)存條，其性能方面確實優(yōu)秀。入門款的預設參數(shù)為3200MHz，時序14-14-14-34，顆粒也是來自三星的K4A8G085WB-BCPB，與大多數(shù)旗艦套條一樣。而且還支持4種神光同步類型，旗艦內(nèi)存條該有的它也都有。

以超頻來說，惠普V10在不改變時序的狀態(tài)下，只加一點電壓就能輕松達到4266MHz，可見底子十分過硬。以常規(guī)的價格購入，再通過超頻調(diào)節(jié)，讓性能從3200MHz穩(wěn)定提升至4266MHz，性價比突顯。

當然，超頻有風險，我個人建議能不加壓就不加壓，優(yōu)先從時序下手，當上了一個大跨度以后，如達到4200MHz時，電壓才需要加到1.4V以上。如果內(nèi)存自身的性能較好，如此次惠普V10的三星B-die顆粒這種，那么電壓可以直接開到1.5V，然后再慢慢收緊時序。