前一段時(shí)間AMD 發(fā)布了新架構(gòu)的主板和CPU，雙11又瘋狂降價(jià)新品CPU，相信很多小伙伴都入手了。新的產(chǎn)品架構(gòu)有個(gè)特點(diǎn)，就是內(nèi)存徹底拋棄了DDR4，進(jìn)入了DDR5的時(shí)代。

DDR5內(nèi)存高頻率，起步4800MHz，性能大幅提升。那么同時(shí)，延遲也有所增加。那么如何更好的發(fā)揮DDR5的性能，提升性能表現(xiàn)呢？尤其是由于價(jià)格因素，很多人入手的都是基礎(chǔ)版的，如何增強(qiáng)性能呢？今天就分享下幾個(gè)簡(jiǎn)單的方法，看看可以對(duì)于內(nèi)存有多少提升。

使用的測(cè)試內(nèi)存是金百達(dá)銀爵DDR5內(nèi)存，金百達(dá)KingBank，是今年比較出風(fēng)頭的內(nèi)存廠商，主打性價(jià)比。大家對(duì)于性價(jià)比產(chǎn)品，都是比較敏感的。

盒子的右下角，寫著高性能、高兼容、即插即用，疾速玩的字樣。

取出產(chǎn)品，有透明塑料盒包裝，是一對(duì)內(nèi)存。

這是一對(duì)內(nèi)存馬甲條，外面是一層金屬馬甲，馬甲上面有著凹凸的線條，富有棱角，右上角的KingBank比較醒目。

這款馬甲內(nèi)存條，鋁合金材質(zhì)，比較輕盈，雖然相對(duì)簡(jiǎn)潔，不過(guò)看到價(jià)格比起裸條來(lái)說(shuō)相差無(wú)幾，還是很有競(jìng)爭(zhēng)力的。

雖然外面看起來(lái)比較簡(jiǎn)潔，但是這個(gè)是DDR5 6000MHz高頻條，采用了海力士原裝A-die顆粒，性能卓著，我們很是期待它的表現(xiàn)。

測(cè)試平臺(tái)：

測(cè)試主板用的是技嘉小雕B650M AORUS ELITE AX主板，它采用8層2盎司銅PCB板，延展式散熱片，I/O合金裝甲，6mm熱管，高品質(zhì)導(dǎo)熱墊，從而可以確保散熱效果，采用了12+2+1相供電，供電60A，提供穩(wěn)定供電。在B650M主板內(nèi)，采用8層PCB板和熱管散熱的，可以說(shuō)是非常少見，可以說(shuō)讓這款主板的穩(wěn)定性和散熱性能提升不少。

這款主板不僅價(jià)格不高，而且主板上的各種接口豐富，比如支持前置USB 3.2 Gen 2 TYPE-C接口，板載多個(gè)風(fēng)扇接口，上下各一個(gè)ARGB彩光接口，多個(gè)12V RGB燈光接口等，可以滿足接駁各種設(shè)備的要求，同時(shí)讓走線更加容易便捷。

CPU是AMD 新品CPU 7600X，6核心12線程，4.7Ghz基礎(chǔ)頻率，5.3Ghz睿頻，L2緩存為6MB，L3緩存為32MB，5nm工藝，TDP功耗為105W，支持DDR5，支持PCIe5.0。同時(shí)，與上一代不同，雖然末尾是帶X的，但是CPU是帶有核顯的。

內(nèi)存自然是這次測(cè)試的主角，金百達(dá)銀爵DDR5 6000MHz馬甲條，將它安裝在4根內(nèi)存超草的2-4槽。

啟動(dòng)電腦，我們就來(lái)看看做一些測(cè)試和試驗(yàn)，看看如何可以簡(jiǎn)單提高DDR5內(nèi)存的性能。

首先是請(qǐng)出大家喜聞樂見的魯大師，我們看到CPU是 AMD Ryzen 5 7600X，內(nèi)存是32GB 16GB x 2，顯卡AMD RX6700藍(lán)寶石，主板是技嘉B650M RORUS ELITE AX。

換個(gè)軟件，CPU-Z，CPU7600X，6核心12線程。主板是技嘉B650M AORUS ELITE AX。

內(nèi)存是Kingbank，就是金百達(dá)啦，顆粒是海力士顆粒，生產(chǎn)日期22年48周，還是很新鮮的。默頻4800MHz，時(shí)序40-39-39-77。支持EXPO和XMP 3.0，頻率6000MHz，時(shí)序30-36-36-76。

普及一下，內(nèi)存提升性能，最簡(jiǎn)單的一個(gè)方法，就是開啟XMP或者是EXPO。X.M.P全稱是Extreme Memory Profile，EXPO是（Extended Profiles for Overclocking）的簡(jiǎn)稱， ，就是現(xiàn)成的配置方案，可以方便地實(shí)現(xiàn)一鍵自動(dòng)超頻，目前DDR5內(nèi)存可以支持XMP 3.0/或EXPO技術(shù)。

我們運(yùn)行下魯大師，看看默頻下跑分多少，實(shí)測(cè)內(nèi)存得分191,849，十九萬(wàn)，分?jǐn)?shù)不少，DDR5內(nèi)存的高頻生產(chǎn)力還是不錯(cuò)的。而總分是1892638，一百八十九萬(wàn)。

AIDA64內(nèi)存測(cè)試，看看內(nèi)存的讀寫速度和延遲，結(jié)果是讀取57145MB/s，寫入63416MB/s，復(fù)制54387MB/s，延遲90.7ns。

Performance Test，是一款PC的功能測(cè)試軟件，具有單獨(dú)的內(nèi)存測(cè)試，內(nèi)存測(cè)試得分3436，位于全球88%的水平。

上面就是內(nèi)存位于默頻4800MHz時(shí)的DDR5內(nèi)存的表現(xiàn)，不過(guò)，我們這款看出，可是海力士A-die顆粒，內(nèi)存可達(dá)6000MHz的哦。那么，用什么方式來(lái)提高內(nèi)存的頻率，達(dá)到6000MHz，實(shí)現(xiàn)更好的性能呢？方法其實(shí)很簡(jiǎn)單。

我們進(jìn)入主板的BIOS界面，看到有Extreme Memory Profile（XMP/EXPO）/EXPO的選項(xiàng)，XMP是Intel推出的規(guī)范，而EXPO是AMD推出的規(guī)范。進(jìn)入后系統(tǒng)會(huì)自動(dòng)識(shí)別，我們看到金百達(dá)這款銀爵DDR5內(nèi)存同時(shí)支持XMP 3.0和 EXPO方式超頻，左右逢源，隨君選擇。

兩者可以隨意選擇其一，例如，選擇XMP后，我們看后面的信息，顯示DDR5-6000 30-36-36-76 1.350，意味著選擇這個(gè)方案后，內(nèi)存會(huì)超頻到6000MHz，時(shí)序是30-36-36-76，內(nèi)存電壓1.35V。

那么如果選擇EXPO呢？我們看后面的信息也是一樣的，顯示DDR5-6000 30-36-36-76 1.350，意味著選擇EXPO后，內(nèi)存同樣會(huì)超頻到6000MHz，時(shí)序是30-36-36-76，內(nèi)存電壓1.35V。從參數(shù)上講，似乎都是一樣的，那么實(shí)際表現(xiàn)如何呢？

此外，在BIOS里開啟XMP/EXPO后，會(huì)在下面出現(xiàn)2個(gè)選項(xiàng)，一個(gè)是Low latency Support，就是低延遲支持，另外一個(gè)是XMP/EXPO High Bandwidth Support，高帶寬支持。這是技嘉主板的特色功能，可以對(duì)于內(nèi)存可以再次優(yōu)化，提高性能。而且都是可以方便地選擇一鍵開啟，而無(wú)需其他復(fù)雜的設(shè)置。

所以，在如何提高DDR5內(nèi)存性能，簡(jiǎn)單超頻的方法上，現(xiàn)在我們有了四個(gè)選擇，分別是開啟XMP、開啟XMP和低延遲/高帶寬、開啟EXPO、開啟EXPO和低延遲/高帶寬。

所以后續(xù)，我在這4種情況下，分別做了測(cè)試。讓我們看看測(cè)試的對(duì)比結(jié)果。

首先還是看魯大師，上圖是實(shí)際測(cè)試后的跑分截圖。

這里是跑分對(duì)比表，我們加上了默頻時(shí)的測(cè)試分?jǐn)?shù)，可以看到，啟用EXPO或者XMP， 都增加了分?jǐn)?shù)，而在此基礎(chǔ)上再啟用低延遲/高帶寬，可以增加更多的分?jǐn)?shù)，提高性能。

那么以提高的百分比看的話，啟用EXPO/XMP，可提升17%以上的內(nèi)存分?jǐn)?shù)，再開啟低延遲/高帶寬的話，可以提高到32%以上。同時(shí)，也可以讓CPU的得分和總分提高數(shù)個(gè)百分點(diǎn)。

我們?cè)賮?lái)看看AIDA64的內(nèi)存測(cè)試。

上圖是實(shí)際跑分的截圖。

上圖是對(duì)比表，我們同樣加上了默頻時(shí)的測(cè)試分?jǐn)?shù)。可以看到，啟用EXPO或者XMP， 內(nèi)存的讀寫數(shù)據(jù)都有所增加，而延遲減少。而在此基礎(chǔ)上再啟用低延遲/高帶寬，讀寫數(shù)據(jù)更快，而延遲更少。

同默頻時(shí)的數(shù)據(jù)相比，開啟EXPO/XMP，可以增加3.5%的讀取速度、27%的寫入速度、10%的復(fù)制速度，而延遲可大幅減少15%。如果在此基礎(chǔ)上再開啟低延遲/高帶寬，那么內(nèi)存讀取一共可增加10%，內(nèi)存寫入增加40%，內(nèi)存復(fù)制增加16%，而延遲則減少20%，可謂明顯。

上圖是PerformanceTest內(nèi)存測(cè)試的結(jié)果截屏。

我們看結(jié)果同前面類似，都是開啟EXPO/XMP后，性能提升。開啟低延遲/高帶寬后，性能可以繼續(xù)得到提升。

通過(guò)前面的測(cè)試，我們看到，金百達(dá)這款銀爵DDR5內(nèi)存馬甲條，采用了海力士A-die顆粒，支持最新的XMP 3.0和EXPO，可以輕松實(shí)現(xiàn)一鍵超頻到6000MHz，實(shí)現(xiàn)更高的性能，表現(xiàn)出眾。

其次，除了EXPO/XMP3.0外，這款內(nèi)存，還可以通過(guò)主板廠商的特色設(shè)置，例如技嘉主板的低延遲/高帶寬功能，可以智能自動(dòng)的進(jìn)一步提高內(nèi)存的性能，而且提升幅度巨大，同開啟EXPO/XMP3.0的提升幅度基本相等，等于是得到了雙倍的提升。

總的來(lái)說(shuō)，對(duì)于普通用戶來(lái)說(shuō)，通過(guò)一鍵啟用EXPO/XMP，是實(shí)現(xiàn)內(nèi)存超頻，提高性能的簡(jiǎn)單有效的方法。同時(shí)，通過(guò)主板廠商內(nèi)部的特色功能，例如技嘉的低延遲/高帶寬，可以起到進(jìn)一步提高內(nèi)存性能的目的。在選擇內(nèi)存的時(shí)候，要注重內(nèi)存的適應(yīng)度和質(zhì)量，比如金百達(dá)的這款銀爵DDR5內(nèi)存馬甲條，就同時(shí)支持EXPO/XMP2種方式，可以讓用戶有更多的選擇。同時(shí)具有高質(zhì)量顆粒，可以支持啟用主板廠商內(nèi)部的內(nèi)存性能提高設(shè)置，從而進(jìn)一步提高內(nèi)存性能，實(shí)現(xiàn)總體性能的提升。

當(dāng)然，從理論上，還可以通過(guò)調(diào)節(jié)細(xì)節(jié)參數(shù)，包括頻率、時(shí)序、以及其他的小參數(shù)，來(lái)讓內(nèi)存的性能進(jìn)一步提高。不過(guò)這個(gè)比較復(fù)雜，需要反復(fù)調(diào)校，費(fèi)時(shí)費(fèi)力，不建議普通用戶采用。