DDR4都買不起，DDR5還有機(jī)會嗎？ 美光預(yù)計(jì)2019年底開始生產(chǎn)DDR5內(nèi)存    

根據(jù)外媒報(bào)道，Cadence和美光進(jìn)行了業(yè)界首次公開演示下一代DDR5內(nèi)存。雖然沒確定最終規(guī)格，但美光很有可能在2019年末開始生產(chǎn)DDR5內(nèi)存芯片。

今年5月，Cadence展示了首款DDR5內(nèi)存驗(yàn)證模組，DRAM來自美光，接口層自研，采用臺積電7nm工藝，數(shù)據(jù)率可達(dá)4400MT/s，也就是頻率高達(dá)4400MHz。

DDR5內(nèi)存主要提升在芯片容量，將超過16 Gb的單片芯片密度，當(dāng)然還有更高的性能和更低的功耗。DDR5預(yù)計(jì)將帶來4266至6400 MT / s的I / O速度，電源電壓降至1.1 V，允許的波動范圍為3％（即±0.033V）。每個模塊使用兩個獨(dú)立的32/40位通道（不使用/或使用ECC）。此外，DDR5將具有改進(jìn)的命令總線效率（因?yàn)橥ǖ缹⒕哂衅渥约旱?位地址（添加）/命令（Cmd）總線），更好的刷新方案以及增加的存儲體組以獲得額外的性能。

展示會上Cadence就表示，與DDR4相比，改進(jìn)的DDR5功能將使實(shí)際帶寬提高36％，即使在3200 MT / s（此聲明必須進(jìn)行測試）和4800 MT / s速度開始，與DDR4-3200相比，實(shí)際帶寬將高出87％。

根據(jù)美光的最新說法，其16Gb DDR5芯片會在2019年底量產(chǎn)，基于18nm以下工藝，這就意味著，搭載DDR5內(nèi)存模組的系統(tǒng)最快2020年面世。而AMD要支持AM4接口到2020年，這2020年這個節(jié)點(diǎn)，大家能換上7nm的新平臺，還是很不錯的，畢竟很多人還在用DDR3的老平臺。

雖然內(nèi)存買不起，不過現(xiàn)在SSD的價格低啊，給老爺機(jī)升級，還有買個大容量的當(dāng)主力盤也是非常不錯的選擇。UV400放棄了經(jīng)典的黑紅貼紙?zhí)幚恚捎勉y色金屬鋁外殼沖壓工藝，保留了醒目的金士頓紅頭人“Rex”（雷克斯）LOGO，2.5英寸7mm厚度，可以滿足超極本的升級需要。配置方面，該款480G 固態(tài)硬盤搭載四通道 Marvell 88SS1074主控制器，TLC NAND顆粒，550MB/s讀取，寫入容量500MB/s。UV400定位不高，但享有三年保修，具有不錯的耐久度，提供200TB TBW寫入總量。此外，還提供升級套件，包括移動硬盤盒、3.5英寸托架和固定螺絲、SATA數(shù)據(jù)線和Acronis5備份軟件，方便用戶升級安裝和數(shù)據(jù)遷移。

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