不知還有多少朋友記得,人人都用到的閃存U盤是由咱們國家的Netac朗科科技發(fā)明的,而朗科在業(yè)內(nèi)也有U盤之父的美譽。作為國內(nèi)存儲行業(yè)的老牌大廠,朗科在SSD領域也早早布局,最近又推出了最新的NV7000絕影系列PCIe4.0滿速SSD,最高順序讀寫速度分別達到了7300MB/s、6700MB/s。
出于好奇,本次我又入手了一條剛剛上市的2T容量朗科NV7000-t,看看U盤之父的新作品表現(xiàn)到底如何。
朗科的NV7000絕影系列SSD根據(jù)散熱配件的不同,分為了NV7000和帶后綴的NV7000-t兩個型號。
其中NV7000是默認附帶金屬散熱裝甲的版本;后者則是使用了石墨烯散熱貼片的版本,售價也更實惠一些,兩者在其他硬件配置上均完全相同。
個人倒是覺得NV7000-t走的路子是對的,畢竟目前主流的主板基本都會標配M.2 SSD槽位的散熱裝甲,為了裝機后外觀上的一致性,SSD自帶的散熱裝甲使用率真的不高,還不如換成散熱貼片降低些成本讓利給消費者。
本次我入手的2T容量朗科NV7000-t,官方標稱的順序讀取速度為7300MB/s,順序?qū)懭胨俣葹?700MB/s,從順序讀寫速度來看就是一塊標準的PCIe4.0滿速盤。在隨機讀寫性能方面,官方標稱的參數(shù)倒是有點保守,2T容量隨機讀取性能未突破1000K IOPS。不過這對咱們民用級用戶來說無所謂了,實際上我們用到的更多是單隊列單線程的4K隨機讀取性能,多隊列深度下的隨機性能我們很難用得上。
朗科NV7000-t提供了5年質(zhì)保和1280TBW,也是業(yè)內(nèi)標準的規(guī)格了,像致態(tài)、三星、西數(shù)、Solidigm等原廠盤也給2T容量SSD標稱了1200TBW而已。
朗科NV7000-t的包裝較為樸素,整體為黑色打底配合燙銀logo,有點老派的味道。
配件方面也符合國產(chǎn)SSD特色,除了使用手冊外,還額外附送了M.2 SSD固定螺絲。
有意思的是,雖然朗科NV7000-t出廠時并未將石墨烯散熱貼片粘貼在PCB板上,而是和金百達似的分開放置,方便用戶自己選擇是否要貼上。
這個小細節(jié)還是蠻貼心的,畢竟我們?nèi)绻褂弥靼迳系纳嵫b甲的話,SSD與裝甲直觸的散熱效果肯定是更好的,這樣分開放置還免去了我們手動撕下散熱貼片的麻煩,同時還方便我們直觀的觀察SSD使用的顆粒與主控。
朗科NV7000-t是單面4顆粒布局,顆粒料號為CD04開頭,查了查可能是宏芯宇封裝的長江存儲晶圓。再用flash id看一眼,確定用的是長江存儲最新的232L X3-9070 TLC顆粒了。
主控也是我們非常熟悉的聯(lián)蕓MAP1602A-F3C,,目前已經(jīng)基本是國產(chǎn)HMB SSD的標配了。
經(jīng)過長時間的市場驗證,聯(lián)蕓MAP1602A這款國產(chǎn)PCIe4.0 SSD的主控性能真的很頂,并且發(fā)熱也是真的小,特別適合在散熱壓力較大的設備內(nèi)使用。
從CrystalDiskInfo的讀取結果來看,這塊SSD的實際容量為2000GB,比足容盤的2048G少了一點點。不過這也不算是毛病,少掉的那48G應該是用到了OP預留空間上了,可以帶來更高的穩(wěn)定性,像西數(shù)SN850X、三星990 Pro等旗艦盤也都是這個容量。
由于10進制與2進制的換算關系,朗科NV7000-t在Windows中顯示的可用空間為1863GiB。
簡單了解完以上信息,下面我們就開始對朗科NV7000-t進行正式測試吧。
測試環(huán)境:室溫26℃,風冷散熱,開放式機箱,SSD測試時插在直通CPU的M.2槽位,CPU手動超頻至5.1GHz。
PS:固態(tài)硬盤的讀寫性能與CPU性能息息相關,除了受CPU主頻和單核性能影響以外,PCIe有效載荷Maximum Payload Size(MPS)也會對測試結果產(chǎn)生影響。
目前只有AMD平臺才能支持512字節(jié)的MPS,512字節(jié)的MPS理論上可以提供7.5GB/s的數(shù)據(jù)傳輸率;而Intel平臺只支持256字節(jié)的MPS,理論讀取速度就被限制到了7.15GB/s以內(nèi),所以在我這個測試平臺上是跑不到NV7000-t標稱的7300MB/s讀取速度的,望知悉。
目前我們常用的CrystalDiskMark、AS SSD Benchmark、TxBench等軟件的基準測試結果都是在固態(tài)硬盤SLC緩存內(nèi)的性能,不過順序讀寫速度等參數(shù)依然能直接體現(xiàn)出SSD的極限性能。
測了幾十塊SSD后發(fā)現(xiàn),目前的消費級SSD由于標配了模擬SLC緩存機制,所以在空盤與滿盤情況下的緩內(nèi)性能差距不大,所以這里我們就在空盤狀態(tài)下使用常用的測試軟件對朗科NV7000-t進行讀寫能性能測試。
作為最常用的硬盤測試軟件之一,CrystalDiskMark能夠非常直觀的展示SSD在SLC緩內(nèi)的讀寫性能表現(xiàn),大部分SSD廠商的標稱參數(shù)也正是由該軟件測試而來的。
空盤狀態(tài)下,朗科NV7000-t的順序讀取速度為7118MB/s,順序?qū)懭胨俣葹?633MB/s,達到了官方標稱的性能參數(shù),是目前PCIe4.0 SSD的滿速水準。
而在Q1T1下,SLC緩內(nèi)4K隨機讀取速度達到了94.54MB/s,表現(xiàn)很棒,與我測試過的三星990 Pro、西數(shù)SN850X、Solidigm P44 Pro等旗艦盤處于同一水平。
CrystalDiskMark默認顯示的是多次跑分的最高成績,AS SSD Benchmark與CrystalDiskMark使用的測試算法略有不同,以10進制測試并以2進制輸出結果,且顯示的是平均成績。
所以正常情況下AS SSD Benchmark的測試結果無論如何都會比CrystalDiskMark低一些,不過由于AS SSD Benchmark有打分機制,對比相對直觀,還是有點參考價值,這里簡單看一眼就好了,緩內(nèi)性能同樣是PCIe4.0 SSD的頂級水平。
ATTO在測試時,會將數(shù)據(jù)包按512B, 1KB, 2KB直到到64MB的不同大小進行分別讀寫測試,測試完成后的速度結果用柱狀圖的形式表達出來,可以很好地說明不同文件大小下對SSD速度的影響。
朗科NV7000-t的ATTO測試柱狀圖非常穩(wěn)定,甚至隨著數(shù)據(jù)塊增大,寫入性能還略微增加了一點,挺好的,沒毛病。
SSD的使用體驗很難用語言描述,畢竟有關流暢度的主觀感受真的沒有量化數(shù)據(jù)來得清晰。所以這里我們選擇使用PCMARK10中的完整系統(tǒng)盤基準測試,來評估朗科NV7000-t作為系統(tǒng)盤時的表現(xiàn)。
PCMark 10的完整系統(tǒng)盤基準測試包含23項測試場景,每個場景都會運行三次,通過對來自流行應用程序和常見任務的相關實際硬盤軌跡跟蹤,可以全面而且反映現(xiàn)在最新存儲設備的性能。
具體來說,測試項目包括Windows 10啟動、應用程序/游戲啟動、復制多個大文和許多小文件、Office和Adobe應用程序運作時的硬盤軌跡等。
朗科NV7000-t在空盤狀態(tài)下的測試得分為3765分,平均帶寬為595.07MB/s,平均存取時間為44μs,在HMB無緩盤中是比較優(yōu)秀的水平了。
3DMark 存儲基準測試是一項專用組件測試,用于衡量現(xiàn)代 PC 存儲設備對游戲體驗的影響,它支持所有最新的存儲技術,更適合用來對SSD進行測試,對我等游戲佬有很強的參考價值。
在空盤狀態(tài)下,朗科NV7000-t的得分為3743分,平均帶寬641.64MB/s,依然是在PCIe4.0 SSD也是比較優(yōu)秀的水準,各游戲項目的具體測試結果如下圖所示:
為了解決TLC顆粒讀寫速度慢的劣勢,幾乎所有使用了TLC顆粒的消費級SSD都使用使用空閑容量模擬SLC緩存機制,在短時間的寫入操作時能夠極大地提高性能。
在向模擬SLC緩存空間中進行文件寫入時,滿速的PCIe4.0 SSD基本能夠達到7000MB/s左右的超高速度,但是當SLC緩存耗盡時,則會需要將原本寫入SLC緩存內(nèi)的數(shù)據(jù)進行垃圾回收,以釋放SLC緩存空間,會暴露SSD真實的緩外寫入速度。
這個特性幾乎是目前在產(chǎn)的所有消費級SSD都有的,所以不要相信有的博主所說的“有緩盤因為有緩存,所以全盤寫入不掉速”之類的P話,這純屬自己都沒玩明白就跳出來忽悠人的,遺禍無窮。
為了深入探索SSD更深入、更全面的性能表現(xiàn),這里我們對朗科NV7000-t進行RAW格式下的全盤順序?qū)懭霚y試,以觀察整體的寫入性能和SLC緩存的方案。
可以看到,朗科NV7000-t的全盤寫入曲線呈現(xiàn)經(jīng)典的三段式結構。
在空盤狀態(tài)下,的SLC緩存容量為250G左右,在持續(xù)寫入250G數(shù)據(jù)之前,順序?qū)懭胨俣纫恢蹦艹掷m(xù)5900MB/s的高速。
出緩后進入第二段的TLC顆粒直寫階段,此時由于尚未開始進行SLC緩存垃圾回收,所以代表的是TLC顆粒的真實寫入性能??梢钥吹?,直寫速度經(jīng)過的一點小波動,最終穩(wěn)定在了2700MB/s,這真是相當優(yōu)秀的水平,在我印象里只有致態(tài)TiPlus7100跟這差不多了,而其他同樣使用X3-9070顆粒的國產(chǎn)SSD的直寫速度大多在2000MB/s徘徊。
個人推測這是由于2T容量的NV7000-t與致態(tài)TiPlus7100一樣,都使用了4顆粒的緣故。相比使用2顆粒的SSD,4顆??梢砸曌髟赟SD上先做了個RAID0陣列,速度當然要比2顆粒的型號更有優(yōu)勢。
而在寫入到1480G左右時,寫入曲線正式進入了第三段垃圾回收階段,此時主控既要將先前SLC緩存內(nèi)的數(shù)據(jù)釋放,騰出原本模擬SLC時占用的TLC空間,同時也要進行新數(shù)據(jù)的寫入操作,性能負載極大,所以在這個階段的寫入速度最慢。
不過朗科NV7000-t在這個階段的性能表現(xiàn)也很棒,即便在最慢的垃圾回收階段,進入穩(wěn)態(tài)后的平均速度依然能保持在900MB/s左右,這個性能妥妥的是國產(chǎn)HMB SSD的第一梯隊,看來4顆粒布局的性能真的很強。
同時我們可以看到,在第三段曲線的最后階段,由于主控垃圾回收工作已經(jīng)基本完成,騰出性能來又試圖將寫入速度恢復到TLC顆粒直寫水平,這也讓整個第三段曲線的平均寫入速度達到了1010MB/s左右。
SSD的4K小文件隨機讀取性能是決定我們?nèi)粘J褂孟到y(tǒng)、打開程序是否流暢的關鍵。大家從機械硬盤升級到SSD時,明顯能感覺到到開機速度和打開軟件的速度更快,就是硬盤的隨機讀取速度大幅提高的緣故。
像CrystalDiskMark、AS SSD Benchmark或者TxBench等軟件進行測試時,會先在SSD中生成一個測試用的文件,然后在該文件中進行讀寫測試。在讀取測試過程中,這個剛剛生成的文件由于還處于SLC緩存中,4K隨機讀取性能會受到SLC緩存機制的加強。
這也是為何我們都說旗艦級有緩SSD因為有DRAM緩存、隨機讀寫能力要比無緩盤更強,但是在CrystalDiskMark等軟件中測不出差距的原因。
我們平時安裝的系統(tǒng)、軟件、游戲,只有在初次安裝的時候才會寫入到SLC緩存中。在經(jīng)歷一次電腦重啟后,SLC緩存會重新由空閑的TLC空間進行模擬,操作系統(tǒng)、軟件等都處于SLC緩存區(qū)域之外。
所以此時如果打開軟件或者游戲,用到的是SLC緩存空間之外、TLC區(qū)域內(nèi)的4K隨機讀取性能。
經(jīng)測試,朗科NV700-t的緩外4K隨機讀取速度為36.19MB/s,略高于致態(tài)TiPlus7100 2T的32.73MB/s,與愛國者P7000Z等同樣使用X3-9070顆粒的國產(chǎn)HMB SSD基本持平。
由于NAND閃存的先天原理限制,SLC緩外4K隨讀性能很難提高,HMB SSD由于沒有獨立DRAM緩存,在這個項目上更是比較吃虧,比Solidigm P44 Pro低了30MB/s左右。
不過大家不用擔心,負責任的說,普通用戶是用不出HMB SSD和Solidigm P44 Pro、SN850X、990 Pro等旗艦有緩SSD的性能區(qū)別的,我自己用的傲騰900P的4K隨機讀取速度能達到360MB/s,日常中輕度使用也很難察覺出有什么明顯提升的地方。
綜合本次簡單測評的結果來看,朗科NV7000-t的性能表現(xiàn)足夠讓人滿意。7300MB/s的順序讀取速度、6600MB/s的順序?qū)懭胨俣仁蛊渥€(wěn)了PCIe4.0滿速SSD的位置,并且4顆粒的布局使其在細節(jié)性能方面還帶來了諸多優(yōu)勢。
SLC緩內(nèi)94MB/s、緩外36.8MB/s的4K隨機讀取速度保證了作為系統(tǒng)盤使用時的流暢性,高達2700MB/s的TLC直寫速度和900MB/s以上的緩外速度也均優(yōu)于普通的雙顆粒布局國產(chǎn)SSD。
結合目前京東自營渠道489元2T的售價,個人感覺在這個價位上沒啥可挑剔的,眼看著又有國產(chǎn)SSD卷王之姿。