常規(guī)用戶在撰寫裝機單時候都會考慮兩點：

● 第一是合理性，整機盡量不卡瓶頸，最大程度發(fā)揮所有硬件的性能。

● 第二是性價比，針對個人使用需求靈活調(diào)整，將預(yù)算盡量花在關(guān)鍵硬件上。

內(nèi)存作為最小開機剛需的硬件，選擇合適的型號當(dāng)然也非常重要，目前Intel和AMD對DDR5的支持差距很大，同時手動調(diào)教的方向也完全不同。

本文和大家分享下Intel/AMD平臺對DDR5內(nèi)存的支持度，同時也教新手如何合理選擇更合適的內(nèi)存型號，歡迎點贊收藏打賞三連，有復(fù)雜問題咨詢請單獨聯(lián)系。

? 省流總結(jié)

給懶得看完的朋友做個總結(jié)：

● 給新司機科普下佰維，屬于國內(nèi)為數(shù)不多的存儲領(lǐng)域上市公司，之前到現(xiàn)在一直運營HP宏碁這類國際一線品牌的存儲產(chǎn)品，目前開始做自己品牌，別以為是雜牌哈。

● 就目前的DDR5內(nèi)存而言，Intel的高頻效能會比AMD更好，說人話就是支持更高頻率+讀寫能力更高+延遲更低。

● 14代Intel由于imc大升級，手動超頻相對而言簡單很多，正常體質(zhì)的K系列處理器都能上8000MHz頻率，所以選擇XMP高頻條或者手動超高頻會更合適。

● 目前7系和8系A(chǔ)MD對DDR5的支持都一般，不分頻能跑6400MHz已經(jīng)算雕體質(zhì)了，所以建議選擇6000-6400MHz這個區(qū)間的低頻內(nèi)存，還能省點預(yù)算。

● 就目前佰維這個存儲大佬的在售型號而言，顆粒+PIMC+散熱都比較強的佰維DX100更適合Intel平臺，便宜實惠的佰維HX100系列更適合AMD平臺。

? 參數(shù)解析

正如標(biāo)題所言，不同平臺有各自適合的內(nèi)存型號，這里簡單說一下具體原因。

1?? 更適合Intel平臺的佰維DX100

屬于佰維悟空系列，直接在詳情頁標(biāo)注特挑顆粒+適合手動超頻，也只有佰維這樣的頭部廠家敢這么做，簡單介紹一下佰維DX100的具體信息：

● 內(nèi)存顆粒為海力士，也是目前三巨頭（海力士+鎂光+三星）中最適合手動超頻的顆粒。

● PIMC不鎖電壓，也就是說適合各種體質(zhì)的CPU，就算必須加壓才能上高頻也可以操作。

● 基板為10層PCB，散熱馬甲則做了加強風(fēng)道的凹槽紋理設(shè)計，更方便壓低運行溫度。

● 出廠預(yù)設(shè)的時序壓得非常低，即使不手動超頻也能有著較強的效能和較低的延遲。

● 燈區(qū)面積是友商常規(guī)型號的3倍，8組燈區(qū)完全不會有殺馬特感覺。

簡單來說，佰維DX100就是為了手動超頻而生，高顏值+大面積RGB燈效相當(dāng)于額外贈送，缺點就是售價高了點（800元出頭），16G的手動超頻難度也比24G要大點。

2?? 更適合AMD平臺的佰維HX100

同屬佰維悟空系列，對比上面的佰維DX100，低頻版本的佰維HX100各項特性正好反過來，主打的是便宜和預(yù)設(shè)：

● 內(nèi)存顆粒為鎂光，具體型號未知，屬于兼容性比較好但是沒啥超頻空間的顆粒。

● PIMC同樣不鎖電壓，不過對目前的AMD平臺來說沒啥用。

● 散熱馬甲沒燈，但同樣有凹槽紋理設(shè)計，一定程度減輕AU積熱帶來的負(fù)面影響。

● 出廠時序比較一般，后續(xù)想手動提升讀寫性能可以從調(diào)整時序入手。

簡單來說，佰維HX100的低頻版本主打一個便宜能用，手動超頻率別指望能超很高，但可以通過調(diào)整時序提升效能，下面會分享通用操作方案。

? 內(nèi)存外觀

說實話，內(nèi)存確實沒啥看的，簡單過一遍。

1?? 佰維DX100

佰維DX100的馬甲采用拼接風(fēng)格進(jìn)行設(shè)計，大面積燈區(qū)+鏡面+走風(fēng)槽分區(qū)非常明顯，兼顧了顏值和實用性。

左右兩端的凹槽設(shè)計不僅可以增大阻尼方便用戶拆裝，同時也方便上下風(fēng)扇走風(fēng)，在一定程度上可以提升散熱效率。

從側(cè)面就能看到，中高端型號才會用的10層PCB基板真的很厚，對于運行穩(wěn)定性和散熱都有一定的幫助。

這組佰維DX100為6600MHz版本（需開啟XMP），默認(rèn)時序為CL34-40-40-105，在目前的競品中算比較低的了。

上機通電如下圖所示，得益于8個燈區(qū)的設(shè)計，整體燈光非常均勻，沒有廉價感，非常適合RGB裝機。

2?? 佰維HX100

佰維HX100整體設(shè)計比較硬朗，沒有RGB燈，比較適合無光裝機。

馬甲為磨砂處理的鋁合金材質(zhì)，阻尼比較適中，走風(fēng)凹槽面積特別大，比較適合垂直風(fēng)道。

雖然是低價入門款，但PCB依舊是10層，馬甲和PCB中間有散熱墊做填充，沒有偷工減料。

這組佰維DX100為6400MHz版本（需開啟XMP），默認(rèn)時序為CL36-48-48-102，時序確實高了點。

上機效果如下圖所示，需要注意的是馬甲比較高，部分ITX機箱可能放不下。

? 測試環(huán)境

正常列一下本次用到的測試硬件環(huán)境，感興趣可以直接入手同款。

1?? 適合Intel的內(nèi)存丨佰維WOOKONG DX100 DDR5 6600MHz 16G*2

簡介：手動超頻上限比較高的型號，更適合Intel平臺。

2?? 適合AMD的內(nèi)存丨佰維WOOKONG HX100 DDR5 6400MHz 16G*2

簡介：勝在便宜，更適合AMD平臺。

3?? CPU丨Intel i5-14600KF / AMD R7-8700G

簡介：這塊14600KF是小雕體質(zhì)的老演員，imc8200，建議想玩內(nèi)存超頻的朋友去小黃魚收別人測過的或者盒裝摸獎，別碰散片。

簡介：基礎(chǔ)參數(shù)相信大家都知道了，八核十六線程+5.1GHz最大主頻，核顯為2.7GHz最大主頻的Radeon 780M，單說參數(shù)很適合養(yǎng)老。

4?? 主板丨微星Z790MPOWER / 七彩虹 CVN B650M GAMING FROZEN V14戰(zhàn)列艦

簡介：內(nèi)存各項寬容度都很高的主板，雙槽確實比四槽好超頻太多，內(nèi)存性能剛需的低預(yù)算用戶推薦級別很高，打算玩手動超頻的用戶也非常推薦。

簡介：相比御三家同級別配置正常要一千起步的價格，七彩虹B650戰(zhàn)列艦?zāi)壳叭粘Ｊ蹆r已經(jīng)降到899元，并且BIOS已經(jīng)做了大更新，非常有性價比。

5?? 固態(tài)硬盤丨佰維NV7200 1T

簡介：順道推薦下同樣極具性價比的佰維固態(tài)，佰維NV7200 1TB售價499元，在同級別PCIe4.0型號中相當(dāng)實惠，簡單列一下參數(shù)：

● 容量有500G、1T、2T以及4T可選，單條容量越大越好，性能和保修越好。

● 硬件方案依舊是聯(lián)蕓MAP1602+長存QLC顆粒，單面顆粒，貼紙內(nèi)置石墨烯散熱層。

● 軟件方案為HMB+SRAM融合Smart Cache技術(shù)，同時針對溫控做了單獨的算法控制。

● 保修方案依舊是年限+TBW雙標(biāo)，年限均為五年，TBW最高1600T。

建議入手單顆粒500G的1T版本，順序讀取速度為7200MB/s，順序?qū)懭胨俣葹?200MB/s，隨機讀取為1000K，隨機寫入為800K，TBW保修為五年+400T。

? 默頻測試

這里的默頻指套用內(nèi)存自帶的XMP預(yù)設(shè)，可以代表內(nèi)存的性能下限。

1?? 佰維DX100（Intel平臺）

開啟XMP過于簡單，開機按Del鍵進(jìn)入主板的BIOS，在首頁找到XMP功能，開啟之后保存重啟電腦就行了。

華碩、微星和技嘉主板有額外的內(nèi)存優(yōu)化科技，建議進(jìn)高級設(shè)置找一下并開啟，對提升讀寫+降低延遲是有幫助的。

使用6600MHz+C34的XMP預(yù)設(shè)，內(nèi)存模式為Performance Mode，AIDA64測試數(shù)據(jù)如下圖所示：

● 讀取速度為102.00GB/s

● 寫入速度為100.31GB/s

● 拷貝速度為96.62GB/s

● 延遲為65.8ns

如果這數(shù)據(jù)能滿意的話就別買佰維DX100了，浪費超頻能力。

2?? 佰維HX100（AMD平臺）

就低頻條而言，XMP和EXPO其實是差不多的，開啟EXPO選擇XMP預(yù)設(shè)即可，使用區(qū)別不大。

使用6400MHz+C36的XMP預(yù)設(shè)，AIDA64測試數(shù)據(jù)如下圖所示：

● 讀取速度為63326MB/s

● 寫入速度為98149MB/s

● 拷貝速度為74993MB/s

● 延遲為91.5ns

相比Intel平臺，這個效能確實差太多，但因為走的是不分頻模式，讀寫性能在AMD中間算比較好的水平，同樣得看CPU體質(zhì)，體質(zhì)差不一定能成功開啟EXPO，下文會有解決方案。

? 手動調(diào)試

再次提醒各位，內(nèi)存手動超頻能超到多少主要取決于CPU的imc體質(zhì)，和用戶操作配置關(guān)系不大。

1?? 佰維DX100（Intel平臺）

先曬一下這對內(nèi)存最合適的配置（8000MHz+C36）超頻測試結(jié)果，內(nèi)存模式為Performance Mode，AIDA64測試數(shù)據(jù)如下圖所示：

● 讀取速度為115.84GB/s / 對比XMP提升13.57%

● 寫入速度為122.86GB/s / 對比XMP提升22.48%

● 拷貝速度為112.84GB/s / 對比XMP提升16.79%

● 延遲為57.8ns / 對比XMP優(yōu)化13.84%

整體提升在13%以上，需要注意的是，可能因為佰維DX100的燈區(qū)比較多，超高頻時的整體電壓（CPU+內(nèi)存）都需要給高一些，另外就是內(nèi)存區(qū)域的額外散熱一定得做好。

2?? 佰維HX100（AMD平臺）

如果你的AMD平臺開啟6400MHz的EXPO預(yù)設(shè)進(jìn)不了系統(tǒng)，亦或者跑讀寫測試結(jié)果低很多，請進(jìn)入BIOS的內(nèi)存超頻配置頁面修改下面幾項，注意看說明：

● FCLK頻率不要動，目前的BIOSFCLK會自適應(yīng)到合適的參數(shù)，用默認(rèn)的自動就行，一定手動改則改成內(nèi)存頻率的1/3。

● UCLK模式有兩個修改方法，一般推薦是UCLK=MEMCLK（不分頻模式），如果追求紙面頻率，則修改為UCLK=MEMCLK/2（Gear2模式）。

● 內(nèi)存頻率建議修改為5800MHz（不分頻模式），能進(jìn)系統(tǒng)再慢慢加，單次加200MHz，如果不分頻模式連5800MHz都開不了機，則改成Gear2模式+6400MHz。

嘗試了下給這組內(nèi)存降時序，6400MHz不分頻確實可以降到CL34-48-48-78，但出現(xiàn)了讀寫降低+延遲增高的問題，所以就默認(rèn)用吧，AMD不適合折騰內(nèi)存超頻。

說一下目前在售的AMD CPU體質(zhì)分水嶺：

● 第一檔為可以不分頻上6000MHz，屬于正常體質(zhì)，低于這個頻率可以直接判定為雷，體質(zhì)比較好的可以嘗試6000MHz+C28-48-48-58時序。

● 第二檔為可以不分頻上6400MHz，屬于雕體質(zhì)，可以嘗試6400MHz+C32-48-48-58時序。

● 第三檔為Gear2模式上8000MHz，屬于大雕體質(zhì)，效能會比不分頻+6400MHz好一些，我手上的反正沒有這個體質(zhì)的U。

如果單純的追求高頻率，正常體質(zhì)用Gear4模式上8000MHz沒啥問題，只不過效能還不如本次的不分頻+6400MHz，沒啥意義。

? 本文完