在DDR5內(nèi)存推出至今,顆粒的體質(zhì)以及PMIC電路相比最初的4800~5600MT時(shí)代有了明顯改進(jìn),更低發(fā)熱和時(shí)序尤為突出,不同于DDR4時(shí)代三星Bdie獨(dú)占鰲頭,在DDR5時(shí)代SK海力士顆粒更受超頻和游戲玩家青睞,只要搭配可靠的散熱設(shè)計(jì),讀寫、延遲以及穩(wěn)定性都更加出色;最近管家入手了來自雷克沙的Ares戰(zhàn)神之翼DDR5 6000 32G內(nèi)存套裝(C28),內(nèi)存本身不但采用SK海力士顆粒還得到了SK海力士官方認(rèn)證,在這里做個(gè)開箱評(píng)測(cè)給大伙分享一下~
雷克沙Ares戰(zhàn)神之翼DDR5 6000 32G內(nèi)存套裝(下文簡(jiǎn)稱“Ares DDR5 6000”)采用黑紅配色彩包包裝,包裝正面為內(nèi)存本體的RGB燈效渲染圖,輔以簡(jiǎn)潔明了包裝信息,很有經(jīng)典的gaming風(fēng)格;從包裝信息可以看到,Ares DDR5 6000支持各大板廠RGB燈效同步功能,并且具備SK海力士官方認(rèn)證,支持英特爾XMP和AMD的EXPO一鍵超頻功能。
包裝正面
ARES戰(zhàn)神之翼系列
SK海力士官方認(rèn)證+各大板廠燈效同步支持
包裝背面
產(chǎn)品信息
ARES戰(zhàn)神之翼支持終身質(zhì)保
中國(guó)制造
打開外包
和大多數(shù)超頻內(nèi)存產(chǎn)品一樣,Ares DDR5 6000并沒有額外附件,考慮到6000MT內(nèi)存本身發(fā)熱比較小,并不像8000+MT那些高發(fā)熱需要額外配備散熱風(fēng)扇,玩家到手即可上機(jī),該有的都有了;值得一提的是,和眾多高端超頻內(nèi)存一樣,Ares DDR5 6000也是支持終身質(zhì)保的,可靠性有保障。
管家本次入手的Ares DDR5 6000為銀色版本,戰(zhàn)神之翼系列目前包含銀、黑兩種配色;內(nèi)存采用加厚鋁合金散熱馬甲并搭配賽車風(fēng)格RGB燈效,馬甲的厚度和面積都非??捎^,搭配一體成型且碩大的發(fā)光區(qū)域,捏在手上沉甸甸的感覺,頗有當(dāng)年DDR3高端梳子條的感覺。
內(nèi)存正面
Ares DDR5 6000的散熱馬甲整體造型方方正正,厚重且闊大的1.8mm鋁合金散熱馬甲頗有分量,而銀色細(xì)磨砂表面處理在視覺上金屬質(zhì)感拉滿,值得一說,馬甲邊緣一圈的亮銀飾邊,細(xì)節(jié)到位;馬甲頂部燈效區(qū)采用賽車賽道主題并采用了亮面均勻?qū)Ч獠牧希瑢?shí)際發(fā)光區(qū)域較大且不會(huì)出現(xiàn)突兀燈珠的現(xiàn)象。
雷克沙ARES LOGO
DDR5內(nèi)存與DDR4最主要區(qū)別在于PMIC電路的引入,對(duì)時(shí)序以及電壓準(zhǔn)確性有所提升,但其代價(jià)就是發(fā)熱,散熱馬甲設(shè)計(jì)是否能照顧到PMIC散熱就顯得非常關(guān)鍵了,而雷克沙的戰(zhàn)神之翼在這問題上則給出了不錯(cuò)的答案。
金屬質(zhì)感拉滿
頂部燈效區(qū)域采用亮面均勻?qū)Ч獠牧?
馬甲邊緣帶有亮銀飾邊
內(nèi)存背面
在內(nèi)存背面銘牌區(qū)域可以看到,本次入手的Ares DDR5 6000為CL28版本,實(shí)際工作電壓為1.4V,內(nèi)存為中國(guó)制造,從內(nèi)存超頻角度來說,該內(nèi)存時(shí)序相比市面常見的CL32/CL30要低,屬于進(jìn)階超頻體質(zhì),但電壓設(shè)定上仍留有一些調(diào)試空間;對(duì)于打算手動(dòng)超頻的玩家來說存在不錯(cuò)的可玩性。
銘牌區(qū)域特寫
Ares DDR5 6000本身的RGB燈效支持目前市售各大板廠的燈效同步軟件功能,對(duì)于打算整機(jī)RGB燈光同步的硬件玩家來說,這一點(diǎn)是必不可少的。
內(nèi)存頂部
在細(xì)節(jié)方面,Ares DDR5 6000內(nèi)存采用單面顆粒+10層PCB設(shè)計(jì),PCB厚度比較可觀;除了1.8mm鋁合金散熱馬甲外,Ares DDR5 6000還為內(nèi)存正反面和PMIC配備了高性能導(dǎo)熱墊,對(duì)于內(nèi)存超頻后的穩(wěn)定性表現(xiàn)有很大幫助。
1.8mm鋁合金散熱馬甲特寫
內(nèi)存正反面均采用高性能導(dǎo)熱墊
配置拉滿的代價(jià)就是內(nèi)存高度也相當(dāng)突出
作為主打RGB的產(chǎn)品,管家一如既往地只放圖對(duì)比不做過多說明,內(nèi)存燈效為默認(rèn)循環(huán),主板燈效同步軟件未安裝。
整體燈效特寫(熄燈環(huán)境)
正面燈效集錦(熄燈環(huán)境)
燈光過渡效果均勻,沒有突兀燈珠
右側(cè)燈效集錦(熄燈環(huán)境)
右側(cè)燈效集錦
內(nèi)存尾部燈效特寫(熄燈環(huán)境)
內(nèi)存尾部燈效集錦(熄燈環(huán)境)
內(nèi)存尾部燈效集錦
LOGO燈特寫(熄燈環(huán)境)
LOGO燈集錦
換個(gè)角度也不錯(cuò)(熄燈環(huán)境)
測(cè)試使用的平臺(tái)和之前一樣,9700X+MSI X870 TOMAHAWK,主板手動(dòng)解鎖功耗上限并鎖定全核心頻率5GHz,關(guān)節(jié)能和PBO,同時(shí)核心電壓和NB/SOC都使用override模式進(jìn)行覆寫+LLC mode03,核心電壓為1.005V,NB/SOC電壓鎖1.3V,測(cè)試系統(tǒng)為WIN10 22H2(版本號(hào)19045.4170),測(cè)試日期為2025年4月11日,室溫27度/濕度90%+。
測(cè)試系統(tǒng)信息
AIDA64顯示SK海力士顆粒
AUTO狀態(tài)下BIOS信息
CPUZ信息(AUTO設(shè)定)
Ares DDR5 6000在未開啟EXPO一鍵超頻的情況下,默認(rèn)運(yùn)作在5600MT/s CL46;在默認(rèn)5600 MT/s下,AIDA64內(nèi)存緩存測(cè)試成績(jī)非常保守,內(nèi)存讀取57632MB/s,內(nèi)存寫入71759MB/s,內(nèi)存復(fù)制55018MB/s,內(nèi)存延遲91.1ns。
AIDA64內(nèi)存緩存測(cè)試(AUTO設(shè)定)
通過打開主板BIOS的EXPO即可實(shí)現(xiàn)一鍵超頻,內(nèi)存成功超頻至6000 MT/s CL28 36 36 68,在部分版本BIOS下需要手動(dòng)設(shè)定避免CPU分頻,具體如下圖UCLK=MEMCLK。
開啟內(nèi)存EXPO一鍵超頻
CPUZ信息(6000MT/s C28+UCLK=MEMCLK)
6000MT/s C28+UCLK=MEMCLK設(shè)定下,Ares DDR5 6000的各方面性能有了明顯提升,內(nèi)存讀取達(dá)到59404MB/s,內(nèi)存寫入81282MB/s,內(nèi)存復(fù)制56352MB/s,內(nèi)存延遲下降至76.8ns,提升非常明顯。
AIDA64內(nèi)存緩存測(cè)試(6000MT/s C28+UCLK=MEMCLK)
當(dāng)然了開啟自動(dòng)超頻只是開始,在AMD平臺(tái)的DDR5內(nèi)存超頻講究的是板廠對(duì)內(nèi)存方案的優(yōu)化,其實(shí)MSI和技嘉就在主板中加入了時(shí)需優(yōu)化的功能;管家在主板中打開延遲殺手功能并成功開機(jī)進(jìn)入系統(tǒng)。
打開MSI的延遲殺手功能
在延遲殺手功能加持下,EXPO 6000MT/s C28+UCLK=MEMCLK設(shè)定的內(nèi)存延遲從原本的76.8ns直接下降至67.4ns,讀寫性能則維持原樣??梢哉f提升相當(dāng)明顯,通過RunMemtestPro 烤機(jī)47分鐘112%穩(wěn)定過測(cè),開啟延遲殺手+EXPO一鍵超頻設(shè)定下穩(wěn)定性是沒有問題的。
內(nèi)存延遲下降至67.4ns
開啟內(nèi)存延遲殺手是可以100%過測(cè)不影響穩(wěn)定的
當(dāng)然了,MSI還有另外一個(gè)優(yōu)化項(xiàng)目,就是對(duì)內(nèi)存顆粒體質(zhì)有些許要求,通過打開主板的高效能模式選項(xiàng),可以加載內(nèi)存時(shí)序優(yōu)化預(yù)設(shè)檔,實(shí)際上這個(gè)功能是套用廠家事先調(diào)好的時(shí)序收窄設(shè)定參數(shù),可以理解為板廠幫你手調(diào)一個(gè)最佳值,這里管家選擇最大值“逆天香”,看看內(nèi)存表現(xiàn)會(huì)如何。
再次進(jìn)入BIOS開啟內(nèi)存時(shí)許優(yōu)化預(yù)設(shè)“逆天香”
可以說Ares DDR5 6000 C28的體質(zhì)是相當(dāng)不錯(cuò)的,在開啟延遲殺手+“逆天香”時(shí)序優(yōu)化預(yù)設(shè)下,EXPO 6000MT/s C28+UCLK=MEMCLK的內(nèi)存延遲下降到驚人的60.8ns,比英特爾的內(nèi)存延遲還要低,同時(shí)內(nèi)存讀取提升至63885MB/s,內(nèi)存寫入提升至98693MB/s,內(nèi)存復(fù)制提升至61483MB/s,整體內(nèi)存性能得到進(jìn)一步增強(qiáng)。
內(nèi)存讀寫均有提升,延遲下降至60.8ns
值得肯定的是,開啟延遲殺手+“逆天香”時(shí)序優(yōu)化預(yù)設(shè)+EXPO 6000MT/s C28+UCLK=MEMCLK這套組合拳下來后,Ares DDR5 6000 C28在RunMemtestPro 烤機(jī)37分鐘101%穩(wěn)定過測(cè),也就是說60.8ns這一低延遲狀態(tài)不僅只是跑分,日常穩(wěn)定使用也是毫無問題。
內(nèi)存延遲殺手+“逆天香”時(shí)序預(yù)設(shè)穩(wěn)定過測(cè)
可以說管家也是不太知足,通過memory try it把內(nèi)存頻率超至6400MT/s CL32,同時(shí)稍微拉大內(nèi)存電壓,看看實(shí)際情況如何吧。
超個(gè)6400MT/s CL32試試
內(nèi)存電壓和NB/SOC電壓簡(jiǎn)單拉一下
超頻后成功開機(jī),6400MT/s CL32+2000MHz FCLK+延遲殺手+高效能模式“逆天香”預(yù)設(shè)這套組合下來,內(nèi)存順序讀寫性能相比同樣設(shè)定下的EXPO 6000MT/s并沒有較大提升,內(nèi)存延遲也就只降低了0.1ns,也就是60.7ns而已,已經(jīng)可以視為誤差,6400MT/s CL32在該平臺(tái)雖然超成功了,但如超。
由于處理器的FCLK頻率始終鎖定在2000MHz,提升甚微
值得慶幸的是,6400MT/s CL32+2000MHz FCLK+延遲殺手+高效能模式“逆天香”預(yù)設(shè)雖然提升不算大,但還是在RunMemtestPro中 烤機(jī)38分鐘102%穩(wěn)定過測(cè),也就是說,Ares DDR5 6000 C28的體質(zhì)并不會(huì)止步于6400MT/s,或許在將來其他平臺(tái)下會(huì)有更好的表現(xiàn),達(dá)成戰(zhàn)未來。
6400MT/s CL32+延遲殺手+“逆天香”時(shí)序預(yù)設(shè)穩(wěn)定過測(cè)
雷克沙作為PUBG絕地求生游戲官方賽事合作伙伴,對(duì)于內(nèi)存穩(wěn)定性方面還是有相當(dāng)自信的,我也開了三小時(shí)游戲順便曬曬,游戲過程中整個(gè)系統(tǒng)相當(dāng)穩(wěn)定,沒有出現(xiàn)卡死跳出等古怪問題,游戲幀數(shù)和流暢度都有所保證的說。
粉紅小強(qiáng)
沒有大哥的局還是挺好玩的
雖然PGS7和PCL春季賽都結(jié)束了,但PGS8比賽會(huì)在5月12開始呢,有興趣的朋友可以去觀看一下的說。
舒服
大概就這樣吧
在本次開箱中,雷克沙Ares戰(zhàn)神之翼DDR5 6000 32G內(nèi)存套裝(C28)的實(shí)際表現(xiàn)是可圈可點(diǎn)的,內(nèi)存本身采用SK海力士嚴(yán)選顆粒+SK海力士官方認(rèn)證,其超頻潛能和穩(wěn)定性值得肯定;1.8mm加厚鋁合金散熱馬甲+高效率顆粒導(dǎo)熱墊+PMIC專屬導(dǎo)熱墊,為DDR5內(nèi)存提供全方位散熱,保證超頻和高負(fù)載下各元件穩(wěn)定工作;支持各大板廠RGB燈效同步軟件+賽車風(fēng)格RGB燈效相當(dāng)酷炫,在顏值上有所保證;在AMD平臺(tái)下,內(nèi)存通過多方優(yōu)化后能實(shí)現(xiàn)60ns超低延遲并通過穩(wěn)定性測(cè)試,同時(shí)內(nèi)存擁有終身質(zhì)保服務(wù),可靠性可玩性都相當(dāng)足。
管家認(rèn)為,雷克沙Ares戰(zhàn)神之翼DDR5 6000 32G(C28)是一款針對(duì)AMD平臺(tái)深度優(yōu)化的低延遲內(nèi)存套裝,經(jīng)過簡(jiǎn)單調(diào)試即可實(shí)現(xiàn)60ns,適合9800X3D/9900X/9950X等游戲平臺(tái)搭配使用。